半導体デバイス―基礎理論とプロセス技術
によって S.M. ジィー
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内容(「BOOK」データベースより) 本書は、最近の半導体デバイス物理と作製技術のほとんどを網羅した入門書である。デバイス形成の各段階において、評価と作製技術の理論と実際が集積回路に重点をおきつつ述べられている。 内容(「MARC」データベースより) 最近の半導体デバイス物理と作製技術のほとんどを網羅した入門書。デバイス形成の各段階において、評価と作製技術の理論と実際を集積回路に重点をおきつつ詳述。87年刊の第2版。 著者略歴 (「BOOK著者紹介情報」より) ジィー,S.M. 現在、台湾National Chiao Tung UniversityのUMC Chair ProfessorでありNational Nano Device Laboratoriesの所長を務めている。長年にわたって、米国ベル研究所の研究員であった。Sze教授は、不揮発性半導体メモリの共同発明者でもある。また、多くの半導体教科書の執筆者としても良く知られており、中でもPHYSICS OF SEMICONDUCTOR DEVICESは古典的な参考書とされている。1991年に半導体デバイスにおける基礎的、パイオニア的貢献によりIEEE J.J.Ebers賞を受賞している。PhDは、固体電子工学に関して1963年スタンフォード大学より受けている 南日/康夫 1956年東京大学工学部応用物理学科卒業。1960年スタンフォード大学研究員。1966年工学博士。1979年筑波大学物質工学系教授。1997年筑波大学名誉教授。現在、財団法人富山県新世紀産業機構(科学技術コーディネータ) 川辺/光央 1961年大阪大学工学部電気工学科卒業。1967年大阪大学基礎工学部助手。1969年工学博士。1975年グラスゴー大学研究員。1978年筑波大学物質工学系助教授。1984年筑波大学物質工学系教授。2002年筑波大学名誉教授。現在、独立行政法人物質・材料研究機構(特別研究員) 長谷川/文夫 1963年東北大学工学部電子工学科卒業。1965年日本電気株式会社中央研究所入社。1973年工学博士。シェフイールド大学研究員。1981年筑波大学物質工学系助教授。1988年筑波大学物質工学系教授。現在、筑波大学物理工学系教授(本データはこの書籍が刊行された当時に掲載されていたものです)
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MOSFETの物理から様々な製造プロセスまで幅広く解説した入門書です。内容は豊富ですが、MOSFETの物理に重点が置かれ、製造プロセスについては代表的な事柄を述べるに留まっています。MOSFETを作成する際には様々な製造装置を用いるため、製造プロセスの知識が必須となるので重宝すると思います。また、MOSFETを開発する際に重要となる物理現象に重点を置いて解説している事に感心しました。研究者である著者は半導体エンジニア(プロセスインテグレーション)にとって有益な項目を良く理解しており、本書は実用に向いていると思います。ただし、複数の要因によって起きるP/N接合リークについては重要であるのに殆ど記載されていません。また、本書において残念なのは掲載されている問題の解答に間違いが散見される事です。
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